模拟电子技术基础(王淑娟)课后答案 (第四---十章)

【4-1】填空： 1．场效应管从结构上分成它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。

2．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是型器件。

1. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。 2. 电压，电流。

【4-2】两个场效应管的转移特性曲线分别如图4.7.1 (a)、(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

uGS

/V

10V

uGS/V

(a)(b)

图4.7.1 题4-2特性曲线

：

（a）P沟道增强型MOS管，开启电压UGS（th）＝－2V，IDO= -1mA在工作点（UGS＝－5V，

ID＝－2.25mA）处，

gm=

UGS(th)

1.5mS

（b）N沟道耗尽型MOSFET，夹断电压U

GS(off) 4V，IDSS 4mA

在工作点（UGS＝－2V， ID＝1mA）处，

【4-3】已知图4.7.2(a)所示电路中场效应管的转移特性如图4.7.2(b)所示。求解电路的Q点和Au。

uGS/V

(a)

(b) 图4.7.2 题4-3电路图解：